Группа исследователей из Ланкастерского университета Великобритании разработала новый тип памяти, который является энергонезависимым. Данная разработка имеет название UK III-V и совмещает в себе достоинства DRAM и NAND.
Если сравнивать с обычными модулями оперативной памяти, новая разработка использует лишь 1% затрачиваемой ими энергии. На данный момент память находится на стадии опытного образца, но планируется выведение ее в группу полномасштабных прототипов.
Ученые собрали транзисторы, которые имеют новую структуру. Для хранения информации в этом типе памяти применяется плавающий затвор, изолированный тоннельным переходом на границе между разными полупроводниковыми материалами.
Данную технологию ждут большие перспективы. Необходимо лишь дождаться коммерческого внедрения данного изделия. Рынок SSD может претерпеть большие изменения, сопровождающиеся появлением сверхскоростной постоянной памяти, которая объединит в себе оперативку и встроенный модуль. Это способствует снижению времени ожидания, пока данные просчитываются. Однако на сегодняшний день остается открытым вопрос, каким будет ресурс новой памяти.
